ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле

В.Я.Алешкин, А.В.Антонов, Д.Б.Векслер, В.И.Гавриленко, И.В.Ерофеева, А.В.Иконников,
Д.В.Козлов, О.А.Кузнецов *, К.Е.Спирин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: dvkoz@ipm.sci-nnov.ru

Экспериментально и теоретически исследованы мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле. Показано, что наряду с линиями циклотронного резонанса в спектрах магнитопоглощения наблюдаются переходы с основного состояния акцептора на возбужденные состояния, связанные с уровнями Ландау из первой и второй подзон размерного квантования, а также резонансы, обусловленные ионизацией A+-центров.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 03-02-16808, 04-02-17178), Российской академии наук, Министерства образования и науки РФ и ФЦП \glqq Интеграция\grqq (проект N Б0039/2102).

 PDF версия (230Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster