ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Морфологическая перестройка слоя германия на кремнии при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии

Т.М.Бурбаев, В.А.Курбатов, М.М.Рзаев, А.О.Погосов, Н.Н.Сибельдин, В.А.Цветков,
H.Lichtenberger *, F.Schaffler *, J.P.Leitao **, N.A.Sobolev **, M.C.Carmo **

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академи наук,
119991 Москва, Россия
* Institut fur Halbleiter- und Festkorperphysik, Johannes Kepler Universitat,
Linz, Austria
** Department of Physics, University of Aveiro,
Aveiro, Portugal
E-mail: burbaev@mail1.lebedev.ru

Методами фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии исследованы Si/Ge-наноструктуры, выращенные при низких (<350oC) температурах молекулярно-пучковой эпитаксии, при различной толщине слоя германия. Обнаружена морфологическая перестройка слоя германия при достижении его толщины ~ 5 монослоев: островковый рельеф сменяется гладким волнообразным рельефом.

Работа выполнена при поддержке INTAS (проект N 03-51-5015), Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 03-02-20007, 03-02-17191), программы НКС РАН и FCT Португалии (проект N 41574/2001).

 PDF версия (344Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster