ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Отрицательная фотопроводимость в среднем ИК-диапазоне селективно легированных гетероструктур SiGe / Si : B с двумерным дырочным газом

А.В.Антонов, В.Я.Алешкин, В.И.Гавриленко, З.Ф.Красильник,
А.В.Новиков, Е.А.Ускова *, М.В.Шалеев

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: aav@ipm.sci-nnov.ru

Представлены результаты исследований спектров латеральной фотопроводимости селективно легированных гетероструктур SiGe / Si : B с двумерным дырочным газом. Обнаружено, что в спектрах фотопроводимости исследованных структур присутствуют два сигнала, имеющие различные знаки. Положительный сигнал связывается с примесной фотопроводимостью в кремниевых слоях структур. Обнаруженный сигнал отрицательной фотопроводимости связывается с переходом дырок из квантовой ямы SiGe в долгоживущие состояния в барьерах Si. Положение пика отрицательной фотопроводимости зависит от состава квантовой ямы, а его низкочастотный край хорошо согласуется с рассчитанной энергией залегания уровня размерного квантования дырок в квантовой яме.

Работа выполнена при финансовой поддержке ISTC (грант N 2206), Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16792, 03-02-16808), Федеральной программы Министерства промышленности и технологии РФ и Российской федеральной программы \glqq Интеграция\grqq.

 PDF версия (133Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster