ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние скорости осаждения Ge на рост и фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si) / Si(001)

Н.В.Востоков, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков, М.В.Шалеев, А.Н.Яблонский

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: shaleev@ipm.sci-nnov.ru

Представлены результаты исследований роста и фотолюминесценции (ФЛ) самоформирующихся островков Ge(Si) / Si(001), полученных в широком интервале скоростей (vGe=0.1-0.75 Angstrem / s) осаждения Ge при температуре Tg=600oC. АСМ-исследования показали, что для всех скоростей осаждения Ge доминирующим типом островков на поверхности являются dome-островки. Обнаружено, что латеральный размер островков уменьшается, а их поверхностная плотность растет с увеличением vGe. Уменьшение латерального размера связывается как с увеличением содержания Ge в островках, так и с увеличением доли поверхности, занятой ими. Обнаруженное смещение положения пика ФЛ в область меньших энергий также объясняется повышением содержания Ge в островках при увеличении vGe.

Работа выполнена при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 02-02-16792, проекта INTAS NANO N 01-444 и программ Минпромнауки РФ.

 PDF версия (200Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster