ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si

Г.А.Максимов, З.Ф.Красильник *, Д.О.Филатов, М.В.Круглова, С.В.Морозов *, Д.Ю.Ремизов *,
Д.Е.Николичев, В.Г.Шенгуров

Научно-образовательный центр \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: Filatov@phys.unn.ru

Исследованы фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур GeSi/Si с нанокластерами GeSi в i-области, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии с газофазным источником Ge. В спектрах фотоэдс p-i-n-диодов (300 K) наблюдалась полоса фоточувствительности, связанная с межзонными переходами в нанокластерах GeSi. Разработан подход к анализу спектров фоточувствительности в структурах, содержащих тонкие слои GeSi, и определена энергия края полос фоточувствительности, связанных с этими слоями. Наблюдалась электролюминесценция при 77 K, обусловленная излучательными межзонными переходами в кластерах GeSi.

Работа выполнена при поддержке совместной Российско-американской программы Министерства образования РФ и Американского фонда гражданских исследований и развития (CRDF) \glqq Фундаментальное исследование и высшее образование\grqq (REC-NN-001), Российского фонда фундаментальных исследований (N 03-02-17085) и Министерства образования РФ (N E02-3.4-238 и A03-2.9-473).

 PDF версия (138Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster