ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe(Ga)

Б.А.Акимов, В.А.Богоявленский, В.А.Васильков, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
E-mail: khokhlov@mig.phys.msu.ru

Проведены исследования кинетики фотопроводимости в эпитаксиальных пленках PbTe(Ga), синтезированных методом \glqq горячей стенки\grqq. Обнаружено, что при низких температурах рекомбинация неравновесных фотовозбужденных электронов происходит в два этапа: после участка относительно быстрой релаксации следует задержанная фотопроводимость. Температура появления задержанной фотопроводимости возрастает при уменьшении толщины пленки. Скорость быстрого участка релаксации зависит от толщины пленки и минимальна в наиболее тонких слоях. В полуизолирующих пленках фотопроводимость всегда положительна, в то время как в образцах с более низким сопротивлением наблюдается сосуществование положительной и отрицательной фотопроводимости. Полученные данные обсуждаются в рамках модели, учитывающей возможность существования примесного атома галлия в различных зарядовых состояниях.

Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 04-02-16497, 02-02-17057 и INTAS N 2001-0184.

 PDF версия (173Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster