ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние шероховатости двумерных гетероструктур на слабую локализацию

А.В.Германенко, Г.М.Миньков, О.Э.Рут, В.А.Ларионова,
Б.Н.Звонков *, В.И.Шашкин **, О.И.Хрыкин **, Д.О.Филатов ***

Институт физики и прикладной математики Уральского государственного университета,
620083 Екатеринбург, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603600 Нижний Новгород, Россия
** Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603600 Нижний Новгород, Россия
*** Научно-исследовательский центр физики твердотельных наноструктур,
603600 Нижний Новгород, Россия
E-mail: Alexander.Germanenko@usu.ru

В структурах GaAs/InxGa1-xAs/GaAs с одиночной квантовой ямой исследовано влияние продольного магнитного поля на поперечное отрицательное магнитосопротивление, вызванное подавлением интерференционной квантовой поправки. Показано, что изменение формы поперечного магнитосопротивления под действием продольного магнитного поля сильно зависит от соотношения между средней длиной свободного пробега, длиной сбоя фазы и корреляционной длиной, характеризующей шероховатость двумерного слоя. Показано, что анализ экспериментальных зависимостей позволяет оценить параметры крупно- и мелкомасштабной шероховатости двумерного слоя в исследованных структурах. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с данными зондовой микроскопии.

Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16150, 03-02-06025 и 04-02-16626), АФГИР (гранты EK-005-X1 и Y1-P-05-11) и программы \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq.

 PDF версия (315Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster