Выполнены расчеты энергий штарковского расщепления уровней ионов Er$3+$, имплантированных в структуры чередующихся слоев диоксида кремния и квазиупорядоченных кремниевых нанокристаллов. Ращепление уровней вызвано электрическим полем зарядов изображения, наводимых на границе раздела слоев с различными диэлектрическими проницаемостями. Установлено, что величина расщепления возрастает при увеличении контраста диэлектрической проницаемости в слоях диоксида кремния и кремниевых нанокристаллов, а также при приближении иона к границе раздела слоев. Полученные результаты хорошо объясняют наблюдающееся в эксперименте дополнительное уширение полосы эрбиевой фотолюминесценции (0.8 eV) с ростом характерных размеров кремниевых нанокристаллов.

Работа финансировалась по проектам Российского фонда фундаментальных исследований (N 02-02-17259 и 03-02-16647), CRDF (N RE2-2369), INTAS (N 03-51-6486) и выполнялась в ЦКП МГУ.