| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Низкотемпературная методика очистки поверхности -GaN(0001) для фотоэмиттеров с эффективным отрицательным
электронным сродством
О.Е.Терещенко , Г.Э.Шайблер , А.С.Ярошевич , С.В.Шевелев ,
А.С.Терехов , В.В.Лундин , Е.Е.Заварин , А.И.Бесюлькин
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет,
630090 Новосибирск, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: teresh@thermo.isp.nsc.ru
(Поступила в Редакцию 4 декабря 2003 г.
В окончательной редакции 25 марта 2004 г.)
|
Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электрона высокого разрешения и дифракции медленных электронов изучена эволюция химического состава, атомной структуры и электронных свойств поверхности -GaN(0001) при ее химической обработке раствором HCl в изопропиловом спирте (HCl--ИПС) и прогреве в вакууме. Показано, что химическая обработка поверхности GaN удаляет значительную часть поверхностного оксида галлия, а последующий прогрев поверхности в вакууме в интервале температур C уменьшает остаточные загрязнения углеродом и кислородом до % от монослоя. Дифракция медленных электронов подтвердила получение чистой поверхности -GaN(0001) со структурой объемной элементарной ячейки (). Адсорбция цезия на чистую поверхность -GaN приводила к снижению работы выхода на eV и появлению на поверхности эффективного отрицательного электронного сродства. Квантовая эффективность GaN-фотокатода составила 26% на длине волны 250 nm. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16639), Фонда содействия отечественной науке и Совета по грантам Президента Российской Федерации. |
| PDF версия (204Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |