Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с разрешением по глубине исследовано распределение фазового химического состава на межфазовой границе (МФГ) Al$$₂O$$₃/Si, сформированной в процессе молекулярного наслаивания слоя Al$$₂O$$₃ толщиной 100 nm на поверхность Si(100) ($c$-Si). Для анализа использовались $L$_2,3-полосы Al и Si. Обнаружено, что МФГ Al$$₂O$$₃/Si, отделяющая подложку $c$-Si от слоя Al$$₂O$$₃, имеет толщину примерно 60 nm и обладает сложной структурой. Ее верхний слой помимо Al$$₂O$$₃ содержит атомы Al, находящиеся в координации, характерной для металлического Al (по-видимому, это достаточно крупные кластеры Al). Как показал анализ формы полос Si, примыкающий к границе подложки слой толщиной не более 10 nm содержит атомы Si, находящиеся в необычном химическом состоянии, не характерном для аморфного Si, $c$-Si, SiO$$₂ или SiO$$_x (можно предположить, что это мелкие кластеры Si). Вблизи подложки обнаружено присутствие SiO$$₂. Свойства более толстых покрытий оказались подобными и сильно отличающимися от структуры МФГ тонких слоев Al$$₂O$$₃.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-03-32771).