ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние величины тока на электролюминесценцию дефектов, обусловленных высокотемпературным постимплантационным отжигом Si:(Er,O)-структур в хлорсодержащей атмосфере

А.М.Емельянов, Е.И.Шек

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Emelyanov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 26 ноября 2003 г.)

Исследована зависимость дефектной электролюминесценции (ЭЛ) от величины прямого тока в кремниевых структурах, полученных путем имплантации ионов эрбия и кислорода в монокристаллический кремний с последующим отжигом в хлорсодержащей атмосфере при 1100oC. При 80 K с ростом тока наблюдается увеличение энергий квантов, отвечающих максимумам двух пиков дефектной ЭЛ: от 0.807 и 0.87 eV до 0.85 и 0.92 eV соответственно. С ростом тока происходит также увеличение полуширины пиков и интенсивности ЭЛ. Для объяснения наблюдаемых эффектов развита предложенная ранее для дефектной ЭЛ в пластически деформированном кремнии модель, которая предполагает возможность создания инверсной населенности по четырехуровневой схеме.

Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194) и Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 02-02-16374).

 PDF версия (201Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster