ФТТ, 2004, том 46, выпуск 9: page 1574...

ФТТ, 2004, том 46, выпуск 9

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Микроволновые измерения проводимости полупроводниковых кристаллов CdF₂

С.А.Казанский

Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова,
199034 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Kazanski@SK7936.spb.edu

(Поступила в Редакцию 29 января 2004 г.)

Микроволновым внутрирезонаторным методом на частоте

~35

GHz измерена проводимость полупроводниковых кристаллов CdF

₂, активированных донорными примесями Y, а также ионами In и Ga, образующими бистабильные одноэлектронные донорные и друхэлектронные

DX

-центры. Сделан вывод об \glqq аномально\grqq высокой относительной концентрации электронов в зоне проводимости кристаллов CdF

₂ : Ga, что подтверждает результаты выполненных ранее исследований аналогичных кристаллов методом ЯМР.

Работа выполнена при поддержке Международного научно-технического центра (грант N 2136).