Представлены новые данные о радиационных центрах серии RC из исследований фотолюминесценции монокристаллов кубического нитрида бора, облученных электронами с энергией в интервале 150--300 eV и отожженных в вакууме в интервале $400-800o$C. Обнаружены изменения тонкой структуры бесфононных линий (БФЛ) центров при достижении электронами облучения \glqq пороговой\grqq энергии и под влиянием отжига. Эти изменения, возможно, связаны с откликом вакансии, как структурного элемента дефектов RC, на одноосные разнонаправленные напряжения. Тонкая структура БФЛ центра RC3 менее чувствительна к \glqq пороговым\grqq эффектам и легче релаксирует с отжигом по сравнению с центрами RC1 и RC2. Получены новые данные о тонкой структуре фононных крыльев, сопровождающих БФЛ центров RC, связанной со взаимодействием соответствующих электронных переходов с решеточными фононами с энергией 0.1$-$0.125 eV.

Работа поддержана грантом Royal Society Fellowship (2001).