ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов слоистых монокристаллов TlGaS2

С.Н.Мустафаева

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
1143 Баку, Азербайджан
E-mail: itpcht@itpcht.ab.az

(Поступила в Редакцию 30 июня 2003 г.)

В слоистых монокристаллах TlGaS2 исследованы частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь tgdelta, диэлектрической проницаемости varepsilon и ac-проводимости sigmaac поперек слоев в диапазоне частот f=5· 104-3· 107 Hz. Обнаружена значительная дисперсия tgdelta в области частот 106-3· 107 Hz. Диэлектрическая проницаемость образцов из TlGaS2 в изученной области частот изменялась от 26 до 30. В частотной области 5· 104-106 Hz наблюдается f0.8-закон для ac-проводимости, а при f>106 Hz sigmaac~ f2. Установлено, что поперек слоев монокристаллов TlGaS2 в переменных электрических полях частотой 5· 104-106 Hz имеет место перескоковый механизм переноса заряда по локализованным в окрестности уровня Ферми состояниям. Оценены плотности состояний вблизи уровня Ферми NF=2.1· 1018 eV-1· 10-3, среднее время прыжка tau=2 mus носителя заряда из одного локализованного состояния в другое и средняя длина прыжка R=103 Angstrem.

 PDF версия (107Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster