ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Штарковская структура спектра и кинетика затухания фотолюминесценции ионов Er3+ в псевдоаморфных пленках a-nc-GaN

А.А.Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Поступила в Редакцию 29 апреля 2003 г.)

Аморфные пленки, содержащие нанокристаллические включения a-nc-GaN, кодопированы Er в процессе роста в плазме магнетронного разряда. Интенсивное внутрицентровое излучение ионов Er3+ в области длин волн lambda=1510-1550 nm получено только после многостадийного отжига при температурах 650-770oC. Возбуждение внутрицентровой эмиссии осуществлялось опосредованно путем генерации электронно-дырочных пар в матрице a-nc-GaN импульсным азотным лазером. Далее рекомбинационный процесс через систему локализованных состояний в запрещенной зоне транслировал энергию возбуждения ионам Er3+. Измерения спектров фотолюминесценции (ФЛ) на разных стадиях отжига при различных температурах в интервале 77-500 K и с разрешением во времени при затухании позволили установить штарковскую природу спектра ФЛ, выявить динамический и неравновесный характер перераспределения энергии внутрицентрового излучения между штарковскими модами в процессе релаксации импульса возбуждения и на этой основе объяснить доминирующий вклад горячих мод и сложную кинетику затухания.

 PDF версия (366Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster