ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности процессов полигонизации в прокатанных (001)[110] монокристаллах вольфрама высокой чистоты

Л.Н.Пронина, И.М.Аристова, А.А.Мазилкин

Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
E-mail: aristova@issp.ac.ru
 
 pronina@issp.ac.ru

(Поступила в Редакцию 14 октября 2003 г.)

Методом электронной микроскопии исследованы изменения в дислокационной структуре прокатанных (001)[110] монокристаллов вольфрама высокой чистоты при кратковременных высокотемпературных отжигах. Исследовано влияние температуры и продолжительности отжига на особенности формирования малоугловых границ. Обнаружены образование и диссоциация \glqq локальных\grqq дефектов, аналогичных наблюдавшимся ранее при отжиге в структуре монокристаллических лент молибдена. Сделан вывод о дислокационной природе данных дефектов.

 PDF версия (117Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster