ФТТ, 2004, том 46, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Использование ультрадисперcного наноалмаза для селективного осаждения легированных бором алмазных пленок

В.В.Дворкин, Н.Н.Дзбановский, А.Ф.Паль *, Н.В.Суетин, А.Ю.Юрьев, П.Я.Детков **

Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына
Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
* Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований,
142190 Троицк, Московская обл., Россия
** Российский федеральный ядерный центр--Всероссийский научно-исследовательский институт
технической физики им. акад. Е.И. Забабахина,
456770 Снежинск, Челябинская обл., Россия
E-mail: afpal@triniti.ru

Суспензия ультрадисперсного наноалмаза была использована для создания (в том числе и селективно) высокой плотности центров нуклеации алмаза на различных подложках. Из газовой фазы СВЧ разряда на подложки ряда материалов, обработанные с использованием ультрадисперсного наноалмаза, осаждены высококачественные легированные алмазные пленки с целью их использования в качестве электродов для электрохимии. Для кремниевых подложек получено равномерное распределение центров нуклеации с концентрацией не менее 1010 cm-2. Для сплошных пленок проведено измерение электрохимических кривых ток--потенциал. С использованием селективной нуклеации выращены алмазные сетки различной прозрачности. Успешное получение высококачественных легированных алмазных сеток дает основания считать их наиболее перспективными электродами для использования в электрохимии.

Работа выполнена при частичной поддержке NATO (грант N SfP-974354) и ISTC-2484.

 PDF версия (408Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster