ФТТ, 2004, том 46, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование тонкопленочной структуры Eu-Si(111): стадия силицидообразования

Т.В.Крачино, М.В.Кузьмин, М.В.Логинов, М.А.Митцев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Поступила в Редакцию 31 июля 2003 г.)

Методами дифракции медленных электронов, электронной Оже-спектроскопии, контактной разности потенциалов и изотермической термодесорбционной спектроскопии исследованы процессы силицидообразования в тонких пленках, образующихся при напылении атомов Eu на поверхность Si(111). Показано, что при нанесении Eu на подложку при комнатной температуре растет неупорядоченная пленка практически чистого Eu. При высоких температурах (T>=q 500 K) формирование системы Eu-Si(111) происходит по механизму Странского-Крастанова: вначале образуется двумерный переходный слой (реконструкция) со структурой (2x 1), а затем растут трехмерные кристаллиты силицидов. Показано, что отличительной особенностью исследованной системы является низкая скорость диффузии атомов Si в силицидах европия. Этим обусловлен градиент концентрации атомов Si по толщине пленок силицидов и как следствие этого их многофазный состав.

Работа выполнена при поддержке МПНТ РФ в рамках государственной научной программы \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (грант N 2.5.99).

 PDF версия (192Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster