ФТТ, 2004, том 46, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние условий синтеза на фазовый переход металл-полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия

Р.А.Алиев *, В.А.Климов

* Институт Физики им. Х.И. Амирханова ДНЦ РАН,
Махачкала, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: V.Klimov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 1 июля 2003 г.)

Исследовано влияние условий синтеза и материала подложки на фазовый переход металл--полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия, полученных методом лазерного напыления. Показано, что уширение петли гистерезиса связано с уменьшением размера кристаллических зерен, составляющих пленку. Высказан ряд предположений, объясняющих возникновение асимметричных петель гистерезиса.

Работа поддержана научной программой ОФН РАН.

 PDF версия (145Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster