ФТТ, 2004, том 46, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрическая неустойчивость кристаллов LiCu2O2

А.А.Буш, К.Е.Каменцев

Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет),
117464 Москва, Россия
E-mail: abush@ranet.ru

(Поступила в Редакцию 25 июля 2003 г.)

Изучены температурные зависимости ВАХ, полевые и температурные зависимости электросопротивления и диэлектрической проницаемости кристаллов фазы LiCu2O2. Установлено, что кристаллы относятся к полупроводникам p-типа, их статическое сопротивление в области 80-260 K изменяется по закону Мотта rho=Aexp(T0/T)1/4 с прыжковым механизмом проводимости с переменной длиной прыжка по локализованным состояниям. При сравнительно низких электрических полях в кристаллах наблюдается явление порогового переключения с характерными S-образными ВАХ, содержащими участок отрицательного дифференциального сопротивления. В области критических напряжений наблюдаются скачкообразные изменения проводимости и диэлектрической проницаемости. Обсуждаются возможные механизмы неупорядоченности и электрической неустойчивости в кристаллах.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17798).

 PDF версия (363Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster