ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции ионов Er3+ в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием

Б.А.Андреев, З.Ф.Красильник, Д.И.Крыжков, А.Н.Яблонский, В.П.Кузнецов *,
T.Gregorkiewicz **, M.A.J.Klik **

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
** Van der Waals--Zeeman Institute, University of Amsterdam, The Netherlands
E-mail: yablonsk@ipm.sci-nnov.ru

Приводятся результаты исследования спектров возбуждения эрбиевой фотолюминесценции (lambda=1540 nm) в эпитаксиальных структурах Si : Er в широком диапазоне длин волн возбуждающего излучения (lambda=780-1500 nm). Сообщается о наблюдении эрбиевой фотолюминесценции при энергиях кванта излучения накачки, существенно меньших ширины запрещенной зоны кремния. Обсуждаются возможные механизмы возбуждения ионов эрбия в данной области энергий квантов излучения накачки.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 01-02-16439, 02-02-16773, 02-02-06695), INTAS (грант N 01-0468) и NWO (грант N 047-009-013).

 PDF версия (309Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster