ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотолюминесценция Si / Ge-наноструктур, выращенных
при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии

Т.М.Бурбаев, В.А.Курбатов, А.О.Погосов, М.М.Рзаев, Н.Н.Сибельдин, В.А.Цветков

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
E-mail: burbaev@maill.lebedev.ru

Исследованы фотолюминесценция и атомно-силовая микроскопия многослойных Si / Ge-наноструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при низких (250-300oC) температурах осаждения германия. Сделано предположение, что при низкотемпературной эпитаксии смачивающий слой формируется путем сращивания двумерных (2d) и трехмерных (3d) наноостровков.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17191), Программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq (проект 7.12) и Программы поддержки ведущих научных школ.

 PDF версия (341Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster