ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Взаимосвязь энергии наноостровков SiGe с их формой и размерами

М.Я.Валах, В.Н.Джаган, З.Ф.Красильник *, П.М.Литвин, Д.Н.Лобанов *, Е.В.Моздор,
А.В.Новиков *, В.А.Юхимчук, А.М.Яремко

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
E-mail: Valakh@isp.kiev.ua

Теоретически исследовано влияние геометрических и физических параметров самоорганизованных наноостровков SiGe на кремниевой подложке на величину их полной энергии. Показано, что температура роста островков и концентрация Si в островках влияют на значение минимума энергии. Результаты численных расчетов сопоставляются с экспериментальными данными по наноостровкам, полученными с помощью атомно-силовой микроскопии.

Работа выполнена при поддержке российско-украинской программы \glqq Нанофизика\grqq и INTAS (проект N 01 0444).

 PDF версия (127Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster