ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кремниевые светодиоды, излучающие в области зона-зонных переходов: влияние температуры и величины тока

А.М.Емельянов, Н.А.Соболев, Е.И.Шек

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru

Исследованы параметры кремниевых светодиодов, полученных ионной имплантацией бора в n-Si и последующим отжигом при температурах 700--1200oC. Максимальная внутренняя квантовая эффективность электролюминесценции (ЭЛ) в области зона-зонных переходов при комнатной температуре оценена на уровне 0.4% и достигнута при температуре отжига 1100oC. Эта величина изменялась не более чем в 2 раза в области рабочих температур 80--500 K. При различных токах исследованы кинетики нарастания и спада ЭЛ. Интенсивность ЭЛ после начального нелинейного участка изменялась линейно с ростом тока. Показано, что для объяснения этого результата, по-видимому, потребуется пересмотр некоторых современных физических представлений, описывающих рекомбинацию носителей заряда в кремниевых диодах.

Работа выполнена при поддержке INTAS (грант N 2001-0194), Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16374) и отделением физических наук РАН в рамках научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.

 PDF версия (262Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster