| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Изменение топологии поверхности Ферми под давлением
в твердых растворах на базе алюминия
А.С.Михайлушкин, Э.И.Исаев, Ю.Х.Векилов, С.И.Симак
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет),
119991 Москва, Россия
Группа теории конденсированного состояния, Уппсальский университет,
S-75121 Уппсала, Швеция
E-mail: eyvaz isaev@trf.misis.ru
(Поступила в Редакцию 4 апреля 2003 г.)
|
Выполнены ab initio исследования электронной структуры и поверхности Ферми неупорядоченных твердых растворов Al--Si и Al--Ge. При содержании кремния около 10 at.% обнаружен топологический переход типа образования шейки, который может быть причиной экспериментально наблюдаемых аномалий транспортных свойств в системе Al--Si. Аналогичный переход обнаружен в системе Al--Ge и предсказано появление аномалий транспортных коэффициентов в области 10 at.% германия. Кроме того, установлено, что при увеличении концентрации легирующего компонента появляется ситуация нестинга (наложение электронно-дырочных карманов) --- особенность поверхности Ферми, которая может быть ответственна за нестабильность кристаллической структуры и усиление сверхпроводимости, наблюдаемые в ряду твердых растворов AlSi и AlGe. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16006) и Королевской шведской академии наук. |
| PDF версия (112Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |