ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О влиянии концентрации точечных дефектов в кристаллах NaCl и LiF на поле насыщения магнитопластического эффекта

Е.В.Даринская, Е.Хартманн *

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
117333 Москва, Россия
* Исследовательский институт физики твердого тела и оптики Венгерской академии наук,
H-1121 Будапешт XII, Венгрия
E-mail: darin@ns.crys.ras.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 14 апреля 2003 г.)

Исследовано влияние концентрации примеси кальция в кристаллах NaCl и предварительного рентгеновского облучения кристаллов NaCl и LiF на величину магнитного поля насыщения B0, характеризующего переход от обычной пропорциональности среднего пробега дислокаций l квадрату магнитной индукции B (l прапорционально B2) к насыщению (l=const). Показано, что с увеличением концентрации примеси кальция в кристаллах NaCl и дозы рентгеновского облучения NaCl и LiF величина B0 растет. Данный факт соответствует тому, что открепление дислокаций от локальных дефектов в слабых магнитных полях лимитируется механизмом продольной релаксации спинов в системе радикальных пар, образующихся при взаимодействии дислокационных ядер с парамагнитными центрами.

Работа чистично финансировалась грантом Российской академии наук (6-й конкурс научных проектов молодых ученых РАН), Hungarian Scientific Research Foundation (OTKA T23092 and T035044) и Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 03-02-17021).

 PDF версия (140Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster