ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние электрон-плазмонного и плазмон-фононного взаимодействия на релаксационные процессы в кристаллах Bi и сплавов Bi1-xSbx

Н.П.Степанов, В.М.Грабов*

Забайкальский государственный педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского,
672000 Чита, Россия
* Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена,
191186 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: stepanov@academ.chita.ru

(Поступила в Редакцию 27 декабря 2002 г.
В окончательной редакции 7 марта 2003 г.)

В кристаллах Bi и сплавов Bi1-xSbx при внесении определенного количества акцепторной примеси олова происходит сближение энергии плазменных колебаний с энергией межзонных переходов и оптических фононов. В этом случае существенно усиливается взаимодействие указанных элементарных возбуждений, что приводит к наблюдаемому экспериментально в оптических и электрических свойствах значительному изменению времени релаксации носителей заряда.

 PDF версия (290Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster