ФТТ, 2003, том 45, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектронные Si 2p-спектры сверхтонких слоев CoSi2, сформированных на поверхности Si(100)2x1

М.В.Гомоюнова, И.И.Пронин, Н.Р.Галль, С.Л.Молодцов, Д.В.Вялых

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Marina.Gomoyunova@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 27 декабря 2002 г.)

Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения (~ 140 meV) с использованием синхротронного излучения (hnu=130 eV) исследован процесс твердофазного синтеза сверхтонких слоев CoSi2 на поверхности кремния Si(100)2x1. Изучена эволюция Si 2p-спектров как при нанесении кобальта на поверхность образцов, находящихся при комнатной температуре, так и при последующем их отжиге. Показано, что адсорбция Со на Si(100)2x1 сопровождается утратой реконструкции исходной поверхности кремния, но не приводит к формированию стабильной CoSi2-подобной фазы. При дальнейшем росте количества напыленного кобальта (в диапазоне до шести монослоев) на поверхности кремния с хемосорбированным кобальтом растет несплошная пленка твердого раствора Co--Si. Твердофазная реакция образования CoSi2 начинается при температуре, близкой к 250oC, а завершается после отжига образцов до температуры ~ 350oC.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17288), МПНТ (Госконтракт N 40.012.1.1.1152) и Российско-германской лаборатории на BESSY II.

 PDF версия (145Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster