ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектры резонансного рамановского рассеяния в структуре ZnCdSe / ZnSe с квантовой ямой и открытыми нанопроволоками

В.Х.Кайбышев, В.В.Травников, В.Ю.Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: travn@spectr.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 1 июля 2002 г.
В окончательной редакции 23 декабря 2002 г.)

При T=300 K исследованы спектры резонансного рамановского рассеяния (РР) в образце ZnCdSe / ZnSe, в котором одновременно присутствуют одиночная квантовая яма и открытые нанопроволоки, изготовленные на ее основе. Энергии продольных оптических (LO) фононов, принимающих участие в формировании наблюдаемых спектров, в области квантовой ямы и в области образца с нанопроволоками заметно различаются. Выполнен расчет энергии LO-фононов в исследованных структурах с учетом влияния композиционного эффекта (введение Cd в ZnSe) и эффекта биаксиального напряжения. Показано, что при возбуждении в области экситонного резонанса РР происходит через свободные (протяженные) экситонные состояния на LO-фононах напряженного слоя ZnCdSe с конечными волновыми векторами вблизи центра зоны Бриллюэна. При возбуждении ниже экситонного резонанса слоя ZnCdSe заметный вклад в наблюдаемые линии РР вносят процессы резонансного рассеяния через состояния локализованных экситонов. В таких процессах рассеяния за счет конечных размеров локализованного состояния принимают участие фононы с большими волновыми векторами. При возбуждении в экситонной области толстых слоев барьера наблюдаемые линии PP формируются за счет рассеяния на фононах барьера ZnSe.\labelp254

 PDF версия (178Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster