ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние фононов на электронный спектр в полупроводниковых малоразмерных квантовых точках, помещенных
в диэлектрическую среду

Н.В.Ткач, Р.Б.Фартушинский

Черновицкий национальный университет,
58012 Черновцы, Украина
E-mail: theormyk@chnu.cv.ua

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 27 ноября 2002 г.)

Методом диаграммной техники для функций Грина с учетом многофононных процессов исследованы электронные уровни и соответствующие им фононные повторения в полупроводниковой квантовой точке (КТ), помещенной в диэлектрик. На примерах КТ GaAs, CdSe, CuCl, введенных в стекло, показано, что при конечной глубине потенциальных ям КТ с уменьшением размеров КТ величины сдвигов электронных уровней уменьшаются независимо от силы электрон-фононной связи в наногетеросистеме. Теоретически рассчитанные положения фононных повторений для CdSe в стекле хорошо согласуются с установленными экспериментально методом рамановского рассеяния.

 PDF версия (322Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster