ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Андреевское отражение в естественных границах поликристаллического ВТСП La1.85Sr0.15CuO4

М.И.Петров *, Д.А.Балаев *, Д.М.Гохфельд *,**, К.А.Шайхутдинов *

* Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,
660036 Красноярск, Россия
** Сибирский государственный аэрокосмический университет им. М.Ф. Решетнева,
660014 Красноярск, Россия
E-mail: smp@iph.krasn.ru

(Поступила в Редакцию 2 декабря 2002 г.)

Измерена температурная эволюция вольт-амперной характеристики (ВАХ) контакта типа break junction с непосредственной проводимостью на поликристаллическом ВТСП La1.85Sr0.15CuO4. ВАХ демонстрируют щелевые особенности и гистерезис, отражающий участок отрицательного дифференциального сопротивления. Экспериментальные результаты хорошо описываются в рамках теории Куммеля--Гунзенхаймера--Никольски для S--N--S контакта (S --- сверхпроводник, N --- нормальный металл), рассматривающей многократное андреевское отражение квазичастиц. Показано, что вид ВАХ, существование и форма гистерезиса определяются соотношением числа \glqq длинных\grqq и \glqq коротких\grqq межкристаллитных границ в исследуемом поликристалле.

Работа поддержана совместной программой Красноярского краевого фонда науки и Российского фонда фундаментальных исследований \glqq Енисей\grqq (грант N 02-02-97711).

 PDF версия (151Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster