ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Термостабильность эпитаксиальных слоев GaN c разной степенью упорядоченности мозаичной структуры

Г.В.Бенеманская, А.И.Бесюлькин, М.С.Дунаевский, А.К.Крыжановский, Н.М.Шмидт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Поступила в Редакцию 21 октября 2002 г.)

Методом атомно-силовой микроскопии проведены исследования термостабильности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом эпитаксии из металлорганических соединений на сапфировой подложке (0001). Образцы различного качества подвергались температурному отжигу в пределах 700-950oC в условиях высокого вакуума. Показано, что степень упорядоченности мозаичной структуры эпитаксиальных слоев сильно влияет на термостабильность. Деградация поверхности для эпитаксиальных слоев с хорошо упорядоченной мозаичной структурой наблюдается при температуре ~ 950oC. Изменение морфологии поверхности слоев с плохо упорядоченной мозаичной структурой начинается при более низких температурах ~ 780oC.

Работа выполнена при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-16802 и гранта в рамках программы N 1-107 Министерства промышленности, науки и технологий Российской Федерации.

 PDF версия (790Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster