ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние свойств подложек
на морфологию нанометровых пленок BaxSr1-xTiO3

В.В.Афросимов, Р.Н.Ильин, С.Ф.Карманенко *, В.И.Сахаров, И.Т.Серенков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
197376 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: r.ilin@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 25 ноября 2002 г.)

Начальные стадии роста пленок BaxSr1-xTiO3 на различных диэлектрических подложках исследованы посредством метода рассеяния ионов средних энергий, на основании полученных результатов проведен анализ микродефектов в пленке. Обнаружено, что в зависимости от формы, размеров и электростатического состояния кристаллографических ячеек поверхности подложки меняется характер роста пленки. На подложке SrTiO3 происходит эпитаксиальный рост. Пленка на подложке LaAlO3 состоит из слегка разориентированных кристаллитов. Характер роста пленки на подложке MgO островковый до толщины 20 nm, при этом происходит образование посторонних фаз; при увеличении толщины пленка приобретает эпитаксиальный характер роста. На поверхности alpha-Al2O3 (1102) растет поликристаллическая пленка, содержащая текстурированные блоки.

Работа выполнена в рамках проекта N 1708 МНТЦ \glqq Сегнетоэлектрические структуры для применения в радиоэлектронных приборах\grqq.

 PDF версия (175Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster