ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Модель идеальной релаксации термоупругих напряжений при выращивании монокристаллов

Ш.Х.Ханнанов, С.П.Никаноров *, С.И.Бахолдин *

Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра Российской академии наук,
450075 Уфа, Россия
E-mail: imep@anrb.ru
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: nikanorov@pop.ioffe.rssi. ru

(Поступила в Редакцию 25 сентября 2002 г.)

Предложена простая дислокационная модель релаксации термоупругих напряжений, возникающих при выращивании монокристаллов из расплава. Данная модель не требует решения кинетических уравнений для дислокаций, участвующих в процессе релаксации, и позволяет получить оценку снизу плотности дислокаций в объеме выращенного кристалла.

 PDF версия (77Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster