| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Особенности сегрегации углерода на поверхности вольфрама
Н.Д.Потехина, Н.Р.Галль, Е.В.Рутьков, А.Я.Тонтегоде
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Поступила в Редакцию 29 мая 2002 г.
В окончательной редакции 19 августа 2002 г.)
|
Выполнены новые измерения и проведен подробный анализ экспериментальных данных по зависимости равновесной степени покрытия углерода на поверхности вольфрама от температуры и степени предварительной науглероженности. Показано, что в случае свободного от углерода объема изменение при K может быть приближенно описано условием равновесия потоков углерода через границу при энергии активации перехода в объем eV и энергии сегрегации eV. Для предварительно науглероженного вольфрама со степенью науглероживания at.% зависимость не может быть описана условиями равновесия с постоянными значениями и --- эти величины зависят от степени науглероживания. растет от 4.6 до 6.8 eV, a --- от 1.7 до 2.3 eV при изменении степени науглероживания от 0 до at.%. Эти изменения интерпретируются как упрочение связей в науглероженном вольфраме с увеличением количества внедренного углерода. Работа поддержана программой МН РФ \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (проект N 4.6.99). |
| PDF версия (157Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |