ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Переход \glqq квантовый эффект Холла--изолятор\grqq в системе InAs/GaAs квантовых точек

В.А.Кульбачинский, Р.А.Лунин, В.А.Рогозин, А.В.Голиков, В.Г.Кытин, Б.Н.Звонков,
С.М.Некоркин, Д.О.Филатов, А.де Виссер *

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
* Амстердамский университет, Институт Ван-дер-Ваальса--Зеемана,
Амстердам, Нидерланды

(Поступила в Редакцию 9 апреля 2002 г.
В окончательной редакции 16 августа 2002 г.)

Исследованы структуры InAs/GaAs со слоями квантовых точек, которые демонстрируют электронные свойства двумерных систем. При небольшой концентрации носителей тока при низких температурах наблюдается прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Длина локализации соответствует характерным размерам кластеров квантовых точек, полученным с помощью атомного силового микроскопа. В слоях квантовых точек с металлической проводимостью InAs/GaAs наблюдается переход \glqq квантовый эффект Холла--изолятор\grqq, индуцированный магнитным полем. Значения удельного сопротивления при переходе превышают величины, полученные для электронов в гетероструктурах и квантовых ямах, что можно объяснить наличием купномасштабных флуктуаций потенциала и соответственно электронной плотности.

Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 00-02-17493, 01-02-16441). ACM-измерения выполнены в Научно-образовательном центре сканирующей зондовой микроскопии Нижегородского государственного университета при поддержке совместной Российско-американской программы Министерства образования РФ и Фонда гражданских исследований и развития США (CRDF) \glqq Фундаментальные исследования и высшее образование\grqq (BRHE), N гранта REC-001.

 PDF версия (461Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster