ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений

А.М.Орлов, А.А.Скворцов, А.А.Соловьев

Ульяновский государственный университет,
432970 Ульяновск, Россия
E-mail: amo@orlov.ulsu.su; scvor@sv.uven.ru

(Поступила в Редакцию 14 мая 2002 г.
В окончательной редакции 15 августа 2002 г.)

Исследуется динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений. Описание процесса движения дефектов произведено с рассмотрением трех видов барьеров, включающих магниточувствительные точечные дефекты и дислокации. В рамках представленного рассмотрения с учетом концепции спин-зависимых реакций между структурными дефектами предложена кинетическая модель наблюдаемых магнитостимулированных изменений подвижности, обусловленных образованием долгоживущих комплексов с участием парамагнитной примеси. Экспериментально показано, что предварительная обработка дислокационных кристаллов в течение 5-45 min в магнитном поле (B=1 T) способствует двух- и трехкратному увеличению скорости движения дислокаций в n- и p-Si соответственно. Зафиксирована \glqq магнитная память\grqq дислокационного Si и рассмотрена кинетика ее ослабления в естественных условиях хранения образца после магнитной обработки. Согласование эксперимента с теорией позволило выявить основные количественные характеристики магнитостимулированного транспорта линейных дефектов: парциальные скорости перемещения дислокаций и динамику дислокационных сегментов на различных стопорах, включая времена ожидания.

 PDF версия (197Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster