ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Термоэдс серы при высоком давлении

В.В.Щенников, С.В.Овсянников

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия

(Поступила в Редакцию 25 марта 2002 г.
В окончательной редакции 12 сентября 2002 г.)

Впервые измерены термоэдс и поперечное магнитосопротивление серы при сверхвысоком давлении до ~40 GPa. Показано, что проводимость серы, как и других элементарных полупроводников VI группы, Te и Se, обусловлена дырками валентной зоны. Из зависимости термоэдс от давления определено изменение ширины запрещенной зоны. Обнаруженное отрицательное магнитосопротивление серы при P~30 GPa свидетельствует о низкой подвижности дырок и предполагает наличие непрямой минимальной щели в электронном спектре. Изменение электронной структуры серы под давлением обсуждается в рамках модели пайерлсовского искажения решетки.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-17203).

 PDF версия (116Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster