Установлено, что при температурах 110--240 K в образцах TlNiS$$₂ в постоянном электрическом поле имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми $N$_F=9·10²⁰ eV^-1·cm^-3 и их разброс $J~2$·10^-2 eV. В области температур 80--110 K в TlNiS$$₂ наблюдалась безактивационная прыжковая проводимость.

При низких температурах (80--240 K) термоэдс в TlNiS$$₂ подчинялась закономерности $$alpha(T)=A+BT, характерной при прыжковом механизме переноса заряда. Повышение температуры до температуры начала собственной проводимости с энергией активации $$Delta E=1.0 eV приводило к появлению собственных основных носителей заряда обоих знаков. Это вызывало повышение $$sigma, но одновременно резко снижало $$alpha; при этом термоэдс практически не зависела от температуры.