ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптическое поглощение в кобальтсодержащих эпитаксиальных монокристаллических пленках гадолиний-галлиевого граната

В.В.Рандошкин, Н.В.Васильева *, В.Г.Плотниченко **, Ю.Н.Пырков **, А.М.Салецкий ***,
Н.Н.Сысоев ***, А.М.Галкин ***, В.Н.Дудоров

Совместная хозрасчетная лаборатория \glqq Магнитооптоэлектроника\grqq Института общей физики Российской академии наук
при Мордовском государственном университете им. Н.П. Огарева,
430000 Саранск, Россия
* Институт общей физики Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
** Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
*** Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
E-mail: antonv@aha.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 10 июня 2002 г.)

Методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденных растворов-расплавов на основе PbO--B2O3 и Bi2O3--B2O3 на подложках Gd3Ga5O12 выращены Co-содержащие монокристаллические гранатовые пленки. Показано, что кобальт находится в пленках в трехвалентном состоянии. При введении в исходный раствор-расплав GeO2 кобальт переходит в двухвалентное состояние. Показано, что спектр поглощения выращенных пленок содержит две широкие полосы поглощения в диапазоне длин волн 450-800 nm и 900-1800 nm, каждая из которых содержит по три компоненты. Определено спин-орбитальное расщепление этих полос.

 PDF версия (158Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster