ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Релаксация импульса электронов зоны Gamma8 на системе ионов железа со смешанной валентностью и электронный перенос в кристаллах HgSe : Fe при низких температурах

И.Г.Кулеев, И.И.Кулеев

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
E-mail: kuleev@imp.uran.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 20 июня 2002 г.)

Исследованы особенности рассеяния электронов зоны Gamma8 на пространственно коррелированной системе ионов железа в кристаллах HgSe : Fe. При вычислении вероятности рассеяния электронов в системе ионов железа со смешанной валентностью учтены s-p гибридизация и блоховские амплитуды волновых функций. Рассчитаны время релаксации и подвижность электронов зоны Gamma8 в кристаллах HgSe и HgSe : Fe при низких температурах. Проанализирована зависимость времени релаксации электронов от энергии. Показано, что пространственное упорядочение в системе во смешанной валентностью ионов железа приводит к качественному изменению этой зависимости для электронов зоны Gamma8.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 00-02-16299, 01-02-06238).

 PDF версия (223Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster