ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние магнитного поля на дислокационную неупругость и пластичность кристаллов LiF с различными примесями

Н.А.Тяпунина, В.Л.Красников*, Э.П.Белозерова**, В.Н.Виноградов**

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
* Костромской государственный университет им. Н.А. Некрасова,
Кострома, Россия
** Костромской государственный технологический университет,
156005 Кострома, Россия
E-mail: ovg@kstu.edu.ru

(Поступила в Редакцию 20 февраля 2002 г.
В окончательной редакции 22 апреля 2002 г.)

С помощью метода двухкомпонентного резонансного осциллятора на частоте 80 kHz исследовано влияние магнитного поля с индукцией 0.04--0.8 T на амплитудную зависимость внутреннего трения кристаллов LiF с различным составом примесей. За состоянием образцов следили in situ по вольт-амперным характеристикам составного осциллятора. Установлено, что в присутствии магнитного поля изменяется состояние системы дислокации--закрепляющие центры и, как следствие этого, возрастают внутреннее трение и пластичность образцов. Эффект действия магнитного поля чувствителен к составу примесей в кристалле.

 PDF версия (141Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster