ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние gamma-облучения на диэлектрическую проницаемость и элекропроводность кристаллов TlGaS2

А.У.Шелег, К.В.Иодковская, Н.Ф.Курилович

Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии,
220072 Минск, Белоруссия
E-mail: sheleg@ifttp.bas-net.by

(Поступила в Редакцию 20 февраля 2002 г.
В окончательной редакции 13 мая 2002 г.)

Исследовано влияние gamma-облучения на диэлектрическую проницаемость varepsilon и электропроводность sigma кристалла TlGaS2, измеренных на частотах: 0.1, 1, 10 kHz и 1 MHz в области температур 200--370 K. Показано, что с ростом температуры значения varepsilon и sigma увеличиваются. Установлено, что при облучении исследуемых образцов TlGaS2 дозой 10 MR значения sigma, измеренные на всех частотах, и varepsilon при дозе 1 MR на частотах 10 kHz и 1 MHz увеличиваются, а при дальнейшем накоплении дозы происходит уменьшение величин varepsilon и sigma. Обнаружена значительная дисперсия исследуемых параметров --- с ростом частоты varepsilon уменьшается, а sigma растет.

Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда фундаментальных исследований Белоруссии (проект Ф99-043).

 PDF версия (97Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster