ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Распределение валентной электронной плотности в преимущественно ионных кристаллах с различающимися подрешетками Браве

Ю.Н.Журавлев, А.С.Поплавной

Кемеровский государственный университет,
650043 Кемерово, Россия
E-mail:zhur@phys.kemsu.ru

(Поступила в Редакцию 20 февраля 2002 г.)

На основе теории функционала локальной плотности вычислены самосогласованные валентный электронные плотности кристаллов CaO с решеткой каменной соли, CaF2 с решеткой флюорита, K2O с решеткой антифлюорита и составляющих их подрешеток. Показано, что в случае кристаллов с различающимися подрешетками Браве анионная подрешетка представляет собой квалентно связанный каркас, в который помещается подрешетка металла. В качестве величины, характеризующей связь подрешеток, использована разностная плотность, полученная как результат вычитания из кристаллической электронной плотности плотностей отдельных подрешеток. Разностная плотность исследованных кристаллов оказывается на порядок меньше кристаллической и подрешеточных, что свидетельствует о слабой гибридизации подрешеток и преимущественно ионном характере связи между ними.

 PDF версия (307Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster