ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние корреляции между подсистемами мелких и глубоких метастабильных уровней на экситонные спектры фотолюминесценции в n-типе GaAs

В.В.Криволапчук, М.М.Мездрогина, Н.К.Полетаев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vlad.krivol@pop.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 28 февраля 2002 г.
В окончательной редакции 19 апреля 2002 г.)

Исследованы экситонные спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs. Показано, что относительное расположение мелких и глубоких центров в тетраэдрической решетке приводит к изменению кинетики затухания и формы линии излучения D0,x (экситон, связанный на мелком нейтральном доноре). Причиной такого изменения спектров экситонной фотолюминесценции является дисперсия энергии связи экситонов мелких доноров ED, которая обусловлена влиянием подсистемы глубоких метастабильных дефектов в кристаллах GaAs n-типа.

 PDF версия (254Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster