ФТТ, 2000, том 42, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Ширина линии поверхностных состояний простых металлов

В.М.Силкин, Е.В.Чулков

Departamento de Fisica de Materiales, Facultad de Quimica, Universidad del Pais Vasco / Fuskal Herrico Unibertsitatea, Apdo. 1072 20018 San Sebastian / Donostia, Basque Country, Spain
Donostia International Physics Center and Centro mixto CSIC-UPV / EHU,
Donostia, Basque Country, Spain
Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук,
634021 Томск, Россия
E-mail: waxslavs@sqox01.sq.ehu.es

(Поступила в окончательном виде 11 января 2000 г.)

Представлены результаты расчета ширины линии (обратного времени жизни) Gammae-e поверхностных состояний для Be(0001) и Mg(0001). Ширина линии состояния вычисляется как проекция мнимой части собственной энергии квазичастицы на само состояние. Экранированное кулоновское взаимодействие рассчитывается с помощью модельного потенциала, учитывающего энергетическую щель в проекционной зонной структуре и поверхностное состояние, расположенное в этой щели. Волновые функции и энергии электронных состояний вычисляются в рамках самосогласованного пленочного псевдопотенциального метода. На основе проведенных расчетов показано, что Gammae-e существенно зависит от положения поверхностного состояния в зоне Бриллюэна. Также показано, что переходы из зон поверхностных состояний в основном определяют отличие вычисленных значений Gammae-e от получаемых в модели однородного электронного газа.

Мы выражаем благодарность отделу образования правительства страны басков, которое частично финансировало проведение работ по этому проекту, а также Э. Зарате за помощь в проведении части расчетов.

 PDF версия (335Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2000, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster