| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Механо-химическое проникновение атомов гелия в эвтектические аморфные пленки Pd--Si и Ni--Si--B, деформированные растяжением в жидком He и He
О.В.Клявин, Б.А.Мамырин, Л.В.Хабарин, Ю.М.Чернов, В.З.Бенгус,
Е.Д.Табачникова, С.Э.Шумилин
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт низких температур Академии наук Украины,
310086 Харьков, Украина
(Поступила в Редакцию 24 ноября 1999 г.)
|
Обнаружено проникновение атомов гелия в деформированные в жидком гелии растяжением до разрыва аморфные эвтектические сплавы-пленки: Pd--Si в He ( K) и Ni--Si--B в He ( K). Изучены спектры выделения гелия из этих материалов после деформации, полученные при их динамическом отжиге (4--5 K/min) при K.Максимальное количество гелия обнаружено в областях локализованных пластических микросдвигов, проходящих через всю ширину пленок, затем в частях образцов, содержащих макротрещины разрушения и отдельные группы полос скольжения. Спектры выделения гелия из различных областей разрушенных образцов показали наличие нескольких пиков, часть из которых коррелирует с температурами кристаллизации и плавления изученных пленок. Полученные данные анализируются на основе модели механо-химического проникновения атомов гелия по динамически возбужденным дислокационноподобным дефектам, характерным для исследованных аморфных пленок. Авторы выражают благодарность Российскому фонду фундаментальных исследований за частичную поддержку настоящей работы (грант N 99-03-32526). |
| PDF версия (350Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2000, Коллектив авторов Разработано... webmaster |