ФТТ, 2000, том 42, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрические свойства кристаллов (PbS)0.59TiS2
при высоком давлении до 20 GPa

В.В.Щенников, А.Н.Титов, С.В.Попова, С.В.Овсянников

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
E-mail: phisica@ifm.e-burg.su

(Поступила в Редакцию 12 ноября 1999 г.
В окончательной редакции 16 декабря 1999 г.)

В камере высокого давления с пуансонами из синтетических алмазов при комнатной температуре исследовано электросопротивление rho и термоэдс (S) монокристаллов соединения с несогласованными слоями (PbS)0.59TiS2 и кристаллов TiS2. Наблюдалось падение rho и |S| в (PbS)0.59TiS2 при давлении P~ 2 GPa, которое связывается со структурным превращением PbS из кубической в орторомбическую фазу. Скачок rho и |S| предположительно обусловлен ростом электронной концентрации в слоях TiS2. При P<= 4 GPa, где схлопывается щель в электронном спектре TiS2, у образцов (PbS)0.59TiS2 наблюдалось снижение rho(P).

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 98-03-32656) и Программы государственной поддержки ведущих научных школ Российской Федерации (грант N 96-15-96515).

 PDF версия (101Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2000, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster