Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2026, выпуск 9 » Статья стр. 1076
<<<>>>
Влияние повышенного содержания индия на характеристики InGaN/GaN гетероструктур в условиях низких температур и ускоренного старения
Иванов А.М. 1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru, alex.klo@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 23 сентября 2026 г.
PDF версия
Проведены сравнительные исследования электрооптических и шумовых характеристик зеленых светодиодов при температурах 23 oС и -196 oС. Показана возможность улучшения оптических характеристик при кратковременных воздействиях токами высокой плотности 160 А/cm2. Рост концентрации индия способствует проявлению квантово-размерного эффекта Штарка, что при низких температурах усиливает падение внешней квантовой эффективности, но тормозит ее рост после кратковременных токовых воздействий. Результаты сравниваются с ранее полученными для ультрафиолетовых светодиодов и объясняются на основе анализа механизмов транспорта носителей и дефектообразования. Ключевые слова: внешняя квантовая эффективность, низкочастотный токовый шум, туннельный транспорт носителей, green gap.
  1. M.L. Lee, P.S. Hsieh, C.S. Chen, H.Z. Zhang, P.Y. Chen, C.Y. Yang, M.J. Wu, C.F. Lin, H.W. Hsu, M.Y. Kuo, H. Chen. J. Mater Sci: Mater. Electron., 32, 28287 (2021). DOI: 10.1007/s10854-021-07205-6
  2. C-Y. Yang, C-Y. Yu, Y-L. Lin, M-T. Hon, S-J. Yang, Y-Z. Zhang, H-C. Kang, Y-W. Kuo, C-F. Lin, Y-L. Wu, H-H Chou, H. Chen, Y-H. Li, J. Han. Results in Phys., 50, 106594 (2023). DOI: 10.1016/j.rinp.2023.106594
  3. S.S. Nahaei, J.D. Ha, J.Su. Kim, J.So. Kim, G.H. Kim, D.K. Lee, T.I. Kang. J. Lumin., 253, 119440 (2023). DOI: 10.1016/j.jlumin.2022.119440
  4. J. Li, D. Chen, K. Li, Q. Wang, M. Shi, C. Cheng, J. Leng. Cryst., 11 (9), 1061 (2021). DOI: 10.3390/cryst11091061
  5. S. Zhou, Z. Wan, Y. Lei, B. Tang, G. Tao, P. Du, X. Zhao. Opt. Lett., 47, 1291 (2022). https://opg.optica.org/ol/abstract.cfm?URI=ol-47-5-1291
  6. Z. Wang, H. Liu, D. Yang, L. Bao. Opt. Lett., 50, 2614 (2025). https://opg.optica.org/ol/abstract.cfm?URI=ol-50-8-2614
  7. X. Li, N. Pant, E. DeJong, A.T. Elshafiey, R. Armitage, E. Kioupakis, D. Feezell. Appl. Phys. Lett., 122, 212108 (2023). DOI: 10.1063/5.0151301
  8. H. Karan. Mater. Sci. Eng. B, 309, 117657 (2024). DOI: 10.1016/j.mseb.2024.117657
  9. D. Samosvat, A. Karpova, G. Zegrya. Appl. Phys. A, 131, 99 (2025). DOI: 10.1007/s00339-024-08219-7
  10. D-C. Choi, Y.S. Kim, K-B. Kim, S-N. Lee. Photonics, 11 (2), 135 (2024). DOI: 10.3390/photonics11020135
  11. F. Nippert, S.Yu. Karpov, G. Callsen, B. Galler, T. Kure, C. Nenstiel, M.R. Wagner, M. Strab burg, H-J. Lugauer, A. Hoffmann. Appl. Phys. Lett., 109, 161103 (2016). DOI: 10.1063/1.4965298
  12. C.J. Humphreys, J.T. Griffiths, F. Tang, F. Oehler, S.D. Findlay, C. Zheng, J. Etheridge, T.L. Martin, P.A.J. Bagot, M.P. Moody, D. Sutherland, P. Dawson, S. Schulz, S. Zhang, W.Y. Fu, T. Zhu, M.J. Kappers, R.A. Oliver. Ultramicroscopy, 176, 93 (2017). DOI: 10.1016/j.ultramic.2017.01.019
  13. I. Reklaitis, R. Kudvzma, S. Miasojedovas, P. Vitta, A. vZukauskas, R. Tomavsi\=unas, I. Pietzonka, M. Strassburg. J. Electron. Mater., 45 (7), 3290 (2016). DOI: 10.1007/s11664-016-4557-7
  14. J. Glemvza, S. Pralgauskaita, V. Palenskis, J. Matukas. Lith. J. Phys., 59 (3), 146 (2019). DOI: 10.3952/physics.v59i3.4081
  15. V.A. Sergeev, I.V. Frolov, A.A. Shirokov. Russ. Microelectron., 45 (7), 498 (2016). DOI: 10.1134/S1063739716070155
  16. Nichia Corporation Specifications for Green LED NSPG500DS [Электронный ресурс]. URL: https://www.alldatasheet.com/html-pdf/585198/NICHIA/ NSPG500DS/442/2/NSPG500DS.html
  17. А.М. Иванов, А.В. Клочков. ЖТФ, 92 (2), 283 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.02.52019.229-21 [A.M. Ivanov, A.V. Klochkov. Tech. Phys., 67 (2), 225 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.02.52953.229-21]
  18. A.M. Ivanov, G.V. Nenashev, A.N. Aleshin. J. Mater Sci: Mater. Electron., 33, 21666 (2022). DOI: 10.1007/s10854-022-08955-7
  19. А.М. Иванов, А.В. Клочков. ФТП, 56 (6), 596 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52596.9817 [A.M. Ivanov, A.V. Klochkov. Semicond., 56 (6), 431 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.06.53546.9817]
  20. И.А. Прудаев, В.В. Копьев, И.С. Романов, В.Л. Олейник. ФТП, 51 (2), 240 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44112.8251 [I.A. Prudaev, V.V. Kopyev, I.S. Romanov, V.L. Oleynik. Semicond., 51 (2), 232 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617020166]
  21. S. Pralgauskaita, V. Palenskis, J. Matukas, J. Glemvza, G. Muliuk, B. vSaulys, A. Trink\=unas. Microelectron. Reliab., 55 (1), 38 (2015). DOI: 10.1016/j.microrel.2014.09.027
  22. D. Bohomolov, V. Ivanova, U.T. Schwarz. Phys. Stat. Sol. A, 222, 2400869 (2025). DOI: 10.1002/pssa.202400869
  23. C. De Santi, M. Meneghini, N. Trivellin, S. Gerardin, M. Bagatin, A. Paccagnella, G. Meneghesso, E. Zanoni. Appl. Phys. Lett., 105, 213506 (2014). DOI: 10.1063/1.4902870
  24. M. Buffolo, A. Caria, F. Piva, N. Roccato, C. Casu, C. De Santi, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. Phys. Stat. Sol. A, 219, 2100727 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202100727
  25. J. Ruschel, J. Glaab, M. Brendel, J. Rass, C. Stölmacker, N. Lobo-Ploch, T. Kolbe, T. Wernicke, F. Mehnke, J. Enslin, S. Einfeldt, M. Weyers, M. Kneissl. J. Appl. Phys., 124, 084504 (2018). DOI: 10.1063/1.5028047
  26. N.A. Talnishnikh, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt, A.E. Ivanov. J. Phys.: Conf. Ser., 2086, 012104 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/2086/1/012104
  27. Н.И. Бочкарева, Ю.Г. Шретер. ФТТ, 64 (3), 371 (2022). DOI: 10.21883/FTT.2022.03.52099.241 [N.I. Bochkareva, Y.G. Shreter. Phys. Solid State, 64 (3), 371 (2022). DOI: 10.21883/PSS.2022.03.53193.241]
  28. M. Shatalov, G. Simin, V. Adivarahan, A. Chitnis, S. Wu, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, K. Simin, J.P. Zhang, J.W. Yang, M.A. Khan. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 41 (8), 5083 (2002). DOI: 10.1143/JJAP.41.5083
  29. Н.А. Тальнишних, А.Е. Иванов, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт. Опт. и спектр., 131 (11), 1499 (2023). DOI: 10.61011/OS.2025.04.60535.7296-24 [N.A. Tal'nishnikh, A.E. Ivanov, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt. Opt. Spectrosc., 131 (11), 1423 (2023). DOI: 10.61011/OS.2025.04.60535.7296-24]
  30. Ф.И. Маняхин, Л.О. Мокрецова. Светотехника, 3, 29 (2021). [F.I. Manyakhin, L.O. Mokretsova. Light Eng., 29 (5(2)), 72 (2021). DOI: 10.33383/2021-010]
  31. S.S. Manaktala, K.M. Singh. Int. J. Eng. Adv. Technol., 9 (1), 5205 (2019). DOI: 10.35940/ijeat.E7014.109119

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme