Оптика и спектроскопия
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
Комбинированный оптический отражатель в мощных инфракрасных (850 nm) AlGaAs/GaInAs светоизлучающих диодах
Малевская А.В.
1, Калюжный Н.А.
1, Емельянов В.М.
1, Салий Р.А.
1, Солдатенков Ф.Ю.
1, Эполетов В.С.1, Малевский Д.А.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, VM.Emelyanov@mail.ioffe.ru, r.saliy@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru, dmalevsky.scell@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 7 апреля 2025 г.
Принята к печати: 26 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 23 сентября 2026 г.
Разработан многослойный комбинированный отражатель, встраиваемый в конструкцию инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaInAs гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Рассчитаны его оптические характеристики. Расчетное значение коэффициента отражения излучения от комбинированного отражателя, включающего структурный слой Al0.9Ga0.1As, диэлектрический (SiO2) и металлические (NiCr, Ag) слои, превысило 99 %. Разработка конструкции оптического отражателя и оптимизация топологии контактной системы позволили достигнуть значений эффективности светоизлучающих диодов более 56 % при плотности тока 10 A/cm2 и оптической мощности 700 mW при плотности тока 100 A/сm2. Ключевые слова: светоизлучающий диод, оптический отражатель, эффективность.
- H.-J. Lee, G.-H. Park, L-K Kwac, J. Lee. Nanomaterials, 14 (4), 349 (2024). DOI: 10.3390/nano14040349
- Z.W. Wen, H.-Y. Lin, M.-J. Yang, S.-L. Li, J.-F. Bi, H.-S. Dai. IEEE Phot. Techn. Lett., 35 (9), 517 (2023). DOI: 10.1109/LPT.2023.3261925
- L. Han, M. Zhao, X. Tang, W. Huo, Zh. Deng. J. Appl. Phys. V. 127, (2020). DOI: 10.1063/1.5136300
- M. Vasilopoulou, A. Fakharuddin, F.P. Arquer, D.G. Georgiadou, H. Kim, A.R. Yusoff, F. Gao, M.K. Nazeeruddin, H.J. Bolik, E.H. Sargent. Nat. Photon. 15, 656 (2021). DOI: 10.1038/s41566-021-00855-2
- Z.W. Wen, H.-Y. Lin, M.-J. Yang, S.-L. Li, S.-Song, S.-F. Bao, D. Sun. IEEE Phot. J., 15 (1), 8200105 (2023). DOI: 10.1109/JPHOT.2022.3230409
- H.-J. Lee, G.-H. Park, J.-S. So, J.-H. Kim, H.-G. Kim, L.-K. Kwac. Current Appl. Phys. 22, 36 (2021). DOI: 10.1016/j.cap.2020.12.002
- H.-J. Lee, I.-K. Jang, D.-K. Kim, Y.-J. Cha, S.W. Cho. Micromachines 13, 695 (2022). DOI: 10.3390/mi13050695
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 699 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51143.9665 [A.V. Malevskaya, N.A. Kalyuzhnyy, D.A. Malevskii, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, M.V. Nakhimovich, F.Y. Soldatenkov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Semiconductors, 55 (8), 686 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621080121]
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Р.А. Салий, Ф.Ю. Солдатенков, М.В. Нахимович, Д.А. Малевский. ПЖТФ, 50 (18), 22 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.18.58625.19946 [A.V. Malevskaya, N.A. Kalyuzhnyy, R.A. Salii, F.Yu. Soldatenkov, M.V. Nakhimovich, D.A. Malevskii. Tech. Phys. Lett., 50 (9), 67 (2024). DOI: 10.61011/TPL.2024.09.59159.19946]
- N.A. Kalyuzhnyy, A.V. Malevskaya, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 262 (2023). DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112551
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Ф.Ю. Солдатенков, Р.В. Левин, Р.А. Салий, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, В.Р. Ларионов, В.М. Андреев. ЖТФ, 93 (1), 170 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.01.54078.166-22 [A.V. Malevskaya, N.A. Kalyuzhnyy, F.Y. Soldatenkov, R.V. Levin, R.A. Salii, D.A. Malevskii, P.V. Pokrovskii, V.R. Larionov, V.M. Andreev. Tech. Phys., 68 (1), 161 (2023). DOI: 10.21883/TP.2023.01.55451.166-22]
- F. Abel\`es. Annales de Physique, 12 (4), 596 (1950). DOI: 10.1051/anphys/195012050596
- M.N. Polyanskiy. Sci. Data, 11, 94 (2024). DOI: 10.1038/s41597-023-02898-2
- D.E. Aspnes, S.M. Kelso, R.A. Logan, R. Bhat. J. Appl. Phys., 60, 754 (1986)
- P.B. Johnson, R.W. Christy. Phys. Rev. B, 6, 4370 (1972)
- D. Franta, D. Nevcas, I. Ohlidal, A. Giglia. Proc. SPIE, 9890, 989014 (2016)
